Pó de diamante aglomerado micronizado SND-MAG – Abrasivo policristalino para retificação e polimento sem riscos de semicondutores, safira e materiais duros.
O SND-MAG é um pó micronizado aglomerado de diamante de última geração, projetado para retificação e polimento de alta precisão e sem riscos de semicondutores (Si, SiC, GaAs, GaN, InP), substratos de safira, cerâmicas avançadas e metais de precisão.
Desenvolvido pela SinoDiam International, o SND-MAG integra micropó de diamante ultrapuro com um aglutinante especializado de alta resistência, formando uma estrutura aglomerada estável semelhante à do diamante policristalino por meio de um processo proprietário de sinterização em baixa temperatura e cura do aglutinante (800–850 °C). Esse design inovador imita o desempenho do diamante policristalino, proporcionando altas taxas de remoção de material, acabamento superficial uniforme e vida útil prolongada da ferramenta, mantendo-se, ao mesmo tempo, economicamente viável em comparação com os pós de diamante policristalino tradicionais.
A forma esférica (verificada por TEM) com superfícies de partículas rugosas e microestruturadas garante:
- Contato uniforme com wafers e substratos rígidos.
- Excelente suspensão em fluidos de moagem aquosos ou à base de óleo.
- Remoção controlada de material sem riscos (Ra ≤0,05μm)
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O SND-MAG supera os pós de diamante monocristalino convencionais, oferecendo maior eficiência de retificação, adesão superior a resinas ou ligantes vitrificados e ausência de riscos profundos, tornando-o a escolha ideal para lapidação de wafers semicondutores, polimento de safira, acabamento de lentes ópticas e retificação de cerâmica de alta precisão.
Vantagem Técnica e Engenharia
- Técnica de Aglomeração: A sinterização patenteada, combinada com a cura do aglutinante, forma aglomerados policristalinos, prevenindo a grafitização do diamante e mantendo a integridade estrutural sob retificação de alta pressão (≤50 N/cm²).
- Controle de forma e uniformidade: mais de 90% de partículas esféricas (verificado por TEM), desvio de forma ≤10%, garantindo força de polimento estável, vibração reduzida e defeitos superficiais minimizados.
- Níveis de impurezas ultrabaixos: A tripla purificação (lixiviação ácida, desgaseificação a vácuo e separação magnética) garante a compatibilidade com materiais semicondutores de alta pureza, prevenindo a contaminação durante o polimento do wafer.
Principais vantagensv
- Polimento de alta eficiência: A estrutura aglomerada autorregenerativa mantém uma eficiência consistente de retificação/polimento por mais de 10 horas, prolongando a vida útil da ferramenta em 50% em comparação com os pós de diamante convencionais.
- <Acabamento de superfície sem riscos: O formato esférico de alta qualidade e as arestas de microcorte proporcionam uma rugosidade superficial (Ra) ≤ 0,05 μm em wafers de safira, SiC e semicondutores, com taxas de risco < 0 > 0,3%.
- Adaptabilidade a múltiplos materiais: Adequado para wafers de Si, SiC, GaAs, GaN, InP, safira, cerâmicas avançadas e metais de precisão, reduzindo a necessidade de troca de abrasivos em linhas de produção com múltiplos materiais.
- Adesão e ligação aprimoradas: As superfícies rugosas de micropartículas melhoram a retenção da ligação em boinas de polimento de resina ou vitrificadas, minimizando o desprendimento de partículas abrasivas e prolongando a vida útil da boina.
Aplicações principais em diversos setores
Semicondutores e Eletrônica:
- Polimento e lapidação de wafers: Polimento de wafers de silício, SiC, GaAs, GaN e InP com Ra ≤ 0,05 μm, garantindo alto rendimento e superfícies sem defeitos.
- Corte das bordas do wafer: Remove microfissuras de wafers de 6 a 12 polegadas, melhorando a confiabilidade da embalagem do chip subsequente.
Óptica e Materiais Rígidos:
- Polimento de substrato de safira: proporciona superfícies sem riscos e transmitância de luz ≥95% para LEDs, lentes de smartphones e componentes ópticos de alta qualidade.
- Acabamento em cerâmica e metal: Polimento de cerâmicas de alumina, ligas de titânio e outros componentes de precisão, resultando em superfícies espelhadas sem a necessidade de polimento posterior.
Especificações técnicas
| Item técnico Estado/Valor Observações |
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|---|---|---|
| Código do produto AND-MAG Identificador oficial |
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| Aparência: Pó cinza Inspeção visual |
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| Forma Classe – esférica Verificado por TEM |
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| Forma cristalina Policristalino Confirmado por difração de raios X |
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| Densidade 3,1–3,4 g/cm³ Medição por picnômetro |
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| Composição | ><<< | ICP-MS |
| Cinzas de combustão< 0 >0,1% | < | |
| Personalizável conforme a aplicação | ||
| Suspensibilidade ≥95% (24h) Medição de turbidez |
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| Estabilidade térmica Até 850 °C TGA |
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| Resistência à pressão de moagem ≤50 N/cm² Teste de compressão |
Perguntas frequentes
Q1: Por que o formato esférico da classe é crucial para o SND-MAG?
A: Partículas esféricas de alta qualidade garantem contato uniforme com os substratos, evitam arranhões localizados de alta pressão e mantêm um polimento consistente em wafers grandes (por exemplo, wafers de SiC ou Si de 12 polegadas).
Q2: O operador AND-MAY pode ser usado em wafers semicondutores de GaN?
A: Sim. Impurezas ultrabaixas (B < 0 >0,005%, Fe < 0 >0,1%) previnem a contaminação, alcançando superfícies com Ra ≤0,05μm, atendendo aos padrões de fabricação de chips de alta frequência.<<
P3: Como funciona a “camada de moagem autorregenerativa”?
A: Os aglomerados expõem gradualmente novas superfícies de diamante durante o uso, mantendo uma eficiência de retificação constante por mais de 10 horas e reduzindo o tempo de inatividade para substituição da ferramenta em 30%.
P4: Qual é o método de armazenamento recomendado para o SND-MAG?
R: Armazene em sacos de alumínio selados a vácuo e à prova de umidade, a uma temperatura de 15–25 °C e umidade relativa de 60%. Evite poeira e gases corrosivos. Validade: 36 meses.<
Pó de diamante sintético policristalino micronizado SND-MPL
