SND-MPL多結晶合成ミクロンダイヤモンドパウダー：傷のない研磨と高精度ラッピングのための超砥粒
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Description
SND-MPLは、真の多結晶ダイヤモンドのマルチエッジ切削ダイナミクスと、合成単結晶ダイヤモンドの均一性と経済性を兼ね備えています。各ミクロン粒子は制御された化学エッチングを受け、5～8個の不活性マイクロエッジを形成します。これにより研磨圧力が均等に分散され、深い溝や表面の傷を防ぎます。
この独自のハニカム構造により、SND-MPLは材料を優しくかつ効率的に除去し、光学部品、時計のクリスタル、サファイアガラス、ウエハー表面に鏡面仕上げを実現します。テクスチャ加工された微細粗面（Ra 0.2μm）は、樹脂またはビトリファイドボンド研磨パッドとの密着性を向上させ、研磨粒子の損失を低減し、工具寿命を最大50%延長します。
SND-PL は、従来の単結晶ダイヤモンド粉末と比較して、2 ～ 4 倍の研磨速度、ゼロスクラッチ率、優れた材料収率を実現しており、光学、電子機器、高級品業界における高度な研磨およびラッピングアプリケーションに最適です。
Technical Edge & Engineering
- ハニカムエッジ構造: 化学的にエッチングして、粒子あたり 5 ～ 8 個のマイクロエッジを形成し、研磨負荷を均等に分散し、鋭利なエッジの単結晶ダイヤモンドによくある深い傷を排除します。
- 靭性の最適化: 熱処理によりマイクロ硬度が HV 6,000～6,500 に低下し、欠けが減少し、超微細研磨中の制御性が向上します。
- マイクロ粗面: Ra 0.2μm の表面粗さを設計することで、樹脂およびガラス化システムでの結合保持力が強化され、グリットの脱落が 40% 削減されます。
- 高純度と一貫性: 狭い PSD 許容範囲 (±5%) で製造され、大面積研磨およびウェーハ平坦化プロセス全体で安定した表面仕上げを保証します。
主な利点
- 真の傷のない仕上げ: 光学ガラスおよびサファイア レンズで Ra ≤0.03–0.05 μm を達成し、反射率は <> >95% です。二次研磨は不要です。
- 2–4× Higher Efficiency: Multi-edge microstructure accelerates removal rate while preserving surface integrity, cutting polishing time by up to 70%.
- Cost-Effective Polycrystalline Substitute: Delivers polycrystalline diamond performance at 30% lower cost, ideal for mid-tier optical and electronic polishing applications.
- ツール寿命の延長: 強化されたグリット結合により、パッドまたはホイールの寿命が 40～50% 延長され、大量生産ラインの運用コストが削減されます。
- ユニバーサルな互換性: 樹脂結合、ガラス結合、静電コーティング研磨パッドとシームレスに連携し、手動または自動研磨システムに適応できます。
業界をまたぐコアアプリケーション
光学および電子機器
- 光学ガラス研磨: カメラレンズ、レーザー光学系、AR/VR レンズ、航空宇宙用ウィンドウで鏡面の透明度 (Ra ≤0.03μm) を実現し、EN 12150 (EU) および ANSI Z87.1 (NA) の光学規格を満たします。
- 半導体ウェーハラッピング: シリコンおよびサファイアウェーハの裏面研磨に使用され、チップの接合およびパッケージングのための滑らかで欠陥のない表面を確保します。
- 精密光電子部品: ディスプレイおよびセンサー業界向けのサファイア LED 基板、石英レンズ、セラミック光学素子を研磨します。
宝石と高級仕上げ
- Gemstone Polishing: Enhances brilliance and clarity in diamonds, rubies, sapphires, and emeralds—delivering scratch-free mirror finishes for luxury jewelry.
- 時計とジュエリーの金属: 繊細なメッキ層を損傷することなく、金、プラチナ、コーティングされた金属表面 (スイス製時計ケース、ジュエリー金具) を磨きます。
- 最高級の職人技による研磨: ベルギーのダイヤモンドカット工房やスイスの高級ブランドで使用され、非常に明るい光沢を実現します。
Technical Specifications
| 物件 | 仕様 |
|---|---|
| 粒子サイズ範囲 | 0.5～5μm（仕上げ研磨）、5～15μm（ラッピング/プレ研磨） |
| 結晶構造 | ハニカム状の多辺構造を持つ多結晶構造 |
| Toughness (HV) | 6,000–6,500 |
| Surface Roughness (Ra) | 0.2μm (textured) |
| 接着適合性 | 樹脂、ガラス化物、静電パッド |
| 研磨効率 | 標準ミクロンダイヤモンドの2～4倍 |
| 最小研磨面粗さ | ≤0.03μm（光学ガラス、ウエハ） |
FAQ
Q1: SND-MPLは従来のミクロンダイヤモンドと比べて、どのように傷を防ぎますか？
A: ハニカム状のマルチエッジ設計により圧力が均等に分散され、通常のダイヤモンドに見られる鋭利なエッジによる削れを防ぎます。これにより、光学部品や宝石の表面において、均一な材料除去と傷のない研磨が実現します。
Q2: Can SND-MPL be used for semiconductor wafer lapping?
A: Yes—its 0.5–5μm fine range is ideal for backside wafer polishing with Ra ≤0.03μm. The low-toughness microstructure avoids wafer microcracks or surface contamination.
Q3: SND-PLは樹脂結合研磨パッドでどのような性能を発揮しますか？
A: 優れた接着性と低い研磨粒子脱落率により、樹脂結合型研磨パッドやビトリファイド型研磨パッドに最適です。パッド寿命を最大40%向上させ、数百サイクルにわたって安定した表面品質を維持します。
Q4: 最適な保管条件はどのようなものですか？
A: 密閉された防湿容器に入れて、15～28℃、湿度<<>65%未満で保管してください。酸、溶剤、紫外線への曝露を避け、不動態化されたエッジ構造を最大24ヶ月間維持してください。
