SND-MAG Diamant-Agglomerat-Mikronpulver – Polykristallines Schleifmittel für kratzfreies Schleifen und Polieren von Halbleitern, Saphir und harten Materialien
SND-MAG ist ein diamantagglomeriertes Mikronpulver der nächsten Generation, das für das kratzfreie, hochpräzise Schleifen und Polieren von Halbleitern (Si, SiC, GaAs, GaN, InP), Saphirsubstraten, Hochleistungskeramiken und Präzisionsmetallen entwickelt wurde.
SND-MAG wurde von SinoDiam International entwickelt und kombiniert hochreines Diamantmikropulver mit einem speziellen, hochfesten Bindemittel. Durch ein patentiertes Niedertemperatur-Sinter- und Bindemittelhärtungsverfahren (800–850 °C) entsteht eine stabile, polykristallinähnliche Agglomeratstruktur. Dieses innovative Design ahmt die Leistung von polykristallinem Diamant nach und ermöglicht hohe Abtragsraten, eine gleichmäßige Oberflächengüte und eine verlängerte Werkzeugstandzeit bei gleichzeitig geringeren Kosten im Vergleich zu herkömmlichen polykristallinen Diamantpulvern.
Die klassensphärische Form (mittels TEM bestätigt) mit rauen, mikrostrukturierten Partikeloberflächen gewährleistet:
- Gleichmäßiger Kontakt mit Wafern und harten Substraten
- Ausgezeichnete Suspension in wässrigen oder ölhaltigen Mahlflüssigkeiten
- Kontrollierter, kratzfreier Materialabtrag (Ra ≤0,05μm)
- „Selbsterneuernde“ Schleifschicht für gleichbleibende Leistung über 10+ Stunden
SND-MAG übertrifft herkömmliche Einkristall-Diamantpulver und bietet eine höhere Schleifleistung, eine überlegene Haftung an Harz- oder verglasten Verbindungen sowie keine tiefen Kratzer. Damit ist es die ideale Wahl für das Läppen von Halbleiterwafern, das Polieren von Saphir, die Bearbeitung optischer Linsen und das hochpräzise Keramikschleifen.
Technischer Vorsprung & Ingenieurwesen
- Agglomerations-Handwerkskunst: Ein firmeneigenes Sinterverfahren mit anschließender Bindemittelhärtung führt zur Bildung polykristalliner Agglomerate, wodurch die Graphitisierung des Diamanten verhindert und die strukturelle Integrität auch bei Hochdruckschleifen (≤50 N/cm²) erhalten bleibt.
- Kontrolle von Form und Gleichmäßigkeit: Über 90 % kugelförmige Partikel (TEM-verifiziert), Formabweichung ≤10 %, was eine stabile Polierkraft, reduzierte Vibrationen und minimierte Oberflächenfehler gewährleistet.
- Extrem niedrige Verunreinigungsgrade: Dreifache Reinigung (Säureauslaugung, Vakuumentgasung, magnetische Trennung) gewährleistet die Kompatibilität mit hochreinen Halbleitermaterialien und verhindert Verunreinigungen beim Waferpolieren.
Wichtigste Vorteile
- Hocheffizientes Polieren: Die sich selbst erneuernde agglomerierte Struktur gewährleistet eine gleichbleibende Schleif-/Polierleistung über mehr als 10 Stunden und verlängert die Werkzeugstandzeit im Vergleich zu herkömmlichen Diamantpulvern um 50 %.
- Kratzfreie Oberflächenbeschaffenheit: Die klassensphärische Form und die mikrogeschnittenen Kanten ermöglichen eine Rauheit von Ra ≤0,05μm auf Saphir-, SiC- und Halbleiterwafern bei Kratzraten<0,3%.
- Anpassungsfähigkeit an verschiedene Materialien: Geeignet für Si-, SiC-, GaAs-, GaN-, InP-Wafer, Saphir, Hochleistungskeramik und Präzisionsmetalle – wodurch der Bedarf an Schleifmittelwechseln in Produktionslinien für verschiedene Materialien reduziert wird.
- Verbesserte Haftung und Adhäsion: Raue Mikropartikeloberflächen verbessern die Haftung in Harz- oder glasierten Polierpads, minimieren den Partikelabrieb und verlängern die Lebensdauer des Pads.
Kernanwendungen in verschiedenen Branchen
Halbleiter & Elektronik:
- Waferpolieren & Läppen: Poliert Silizium-, SiC-, GaAs-, GaN- und InP-Wafer mit Ra ≤ 0,05 μm und gewährleistet so eine hohe Ausbeute und fehlerfreie Oberflächen.
- Wafer-Randbeschneidung: Entfernt Mikrorisse von 6–12-Zoll-Wafern und verbessert so die Zuverlässigkeit der nachfolgenden Chipverpackung.
Optik & Hartmaterialien:
- Saphirsubstrat-Polieren: Erzielt kratzfreie Oberflächen und eine Lichtdurchlässigkeit von ≥95 % für LEDs, Smartphone-Linsen und optische High-End-Komponenten.
- Keramik- und Metallveredelung: Poliert Aluminiumoxidkeramik, Titanlegierungen und andere Präzisionsbauteile zu spiegelglatten Oberflächen ohne nachträgliches Polieren.
Technische Daten
| Technischer Artikel | Status / Wert | Anmerkungen |
|---|---|---|
| Produktcode | AND-MAG | Offizielle Kennzeichnung |
| Aussehen | Graues Pulver | Sichtprüfung |
| Form | Klasse: sphärisch | TEM-geprüft |
| Kristallform | Polykristallin | Röntgenbeugung bestätigt |
| Dichte | 3,1–3,4 g/cm³ | Pyknometermessung |
| Zusammensetzung | C> 99 %, Mg < 0,1 %, B <0,005 %, Sonstige < 0,1 % | ICP-MS |
| Verbrennungsasche | <0,1 % | Hochtemperaturtest |
| Partikelgrößenbereich | 1–5 µm, 5–10 µm, 10–20 µm | Anpassbar an die jeweilige Anwendung |
| Suspendierbarkeit | ≥95 % (24 h) | Trübungsmessung |
| Thermische Stabilität | Bis 850 °C | TGA |
| Schleifdruckbeständigkeit | ≤50 N/cm² | Druckversuch |
Häufig gestellte Fragen
Frage 1: Warum ist die klassensphärische Form für SND-MAG so wichtig?
A: Kugelförmige Partikel gewährleisten einen gleichmäßigen Kontakt mit Substraten, vermeiden lokale Kratzer durch hohen Druck und sorgen für ein gleichmäßiges Polieren auf großen Wafern (z. B. 12-Zoll-SiC- oder Si-Wafern).
Frage 2: Kann AND-MAY für GaN-Halbleiterwafer verwendet werden?
A: Ja. Extrem niedrige Verunreinigungen (B < 0,005 %, Fe < 0,1 %) verhindern Kontaminationen und ermöglichen Oberflächen mit Ra ≤ 0,05 μm, die den Anforderungen der Hochfrequenz-Chipfertigung entsprechen.
Frage 3: Wie funktioniert die „selbstregenerationierende Schleifschicht“?
A: Durch die Agglomeration werden während des Gebrauchs nach und nach frische Diamantoberflächen freigelegt, wodurch eine konstante Schleifleistung über mehr als 10 Stunden aufrechterhalten und die Ausfallzeiten für den Werkzeugwechsel um 30 % reduziert werden.
F4: Wie sollte SND-MAG am besten gelagert werden?
A: In vakuumversiegelten, feuchtigkeitsdichten Aluminiumbeuteln bei 15–25 °C und <60 % relativer Luftfeuchtigkeit lagern. Vor Staub und korrosiven Gasen schützen. Haltbarkeit: 36 Monate.
SND-MPL Polykristallines synthetisches Mikron-Diamantpulver
