{"id":4477,"date":"2025-10-19T03:51:38","date_gmt":"2025-10-19T03:51:38","guid":{"rendered":"https:\/\/diamondmicron.com\/product\/po-de-diamante-aglomerado-micronizado-snd-mag-abrasivo-policristalino-para-polimento-de-semicondutores-e-safira\/"},"modified":"2025-10-19T03:51:38","modified_gmt":"2025-10-19T03:51:38","slug":"po-de-diamante-aglomerado-micronizado-snd-mag-abrasivo-policristalino-para-polimento-de-semicondutores-e-safira","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/diamondmicron.com\/pt-br\/produto\/po-de-diamante-aglomerado-micronizado-snd-mag-abrasivo-policristalino-para-polimento-de-semicondutores-e-safira\/","title":{"rendered":"P\u00f3 de diamante aglomerado micronizado SND-MAG \u2013 Abrasivo policristalino para polimento de semicondutores e safira."},"content":{"rendered":"<p>&nbsp;<\/p>\n<h2><strong>P\u00f3 de diamante aglomerado micronizado SND-MAG \u2013 Abrasivo policristalino para retifica\u00e7\u00e3o e polimento sem riscos de semicondutores, safira e materiais duros.<\/strong><\/h2>\n<h3><\/h3>\n<p>O SND-MAG \u00e9 um p\u00f3 micronizado aglomerado de diamante de \u00faltima gera\u00e7\u00e3o, projetado para retifica\u00e7\u00e3o e polimento de alta precis\u00e3o e sem riscos de semicondutores (Si, SiC, GaAs, GaN, InP), substratos de safira, cer\u00e2micas avan\u00e7adas e metais de precis\u00e3o.<\/p>\n<p>Desenvolvido pela SinoDiam International, o SND-MAG integra microp\u00f3 de diamante ultrapuro com um aglutinante especializado de alta resist\u00eancia, formando uma estrutura aglomerada est\u00e1vel semelhante \u00e0 do diamante policristalino por meio de um processo propriet\u00e1rio de sinteriza\u00e7\u00e3o em baixa temperatura e cura do aglutinante (800\u2013850 \u00b0C). Esse design inovador imita o desempenho do diamante policristalino, proporcionando altas taxas de remo\u00e7\u00e3o de material, acabamento superficial uniforme e vida \u00fatil prolongada da ferramenta, mantendo-se, ao mesmo tempo, economicamente vi\u00e1vel em compara\u00e7\u00e3o com os p\u00f3s de diamante policristalino tradicionais. <\/p>\n<p>A forma esf\u00e9rica (verificada por TEM) com superf\u00edcies de part\u00edculas rugosas e microestruturadas garante:<\/p>\n<ul>\n<li><strong>Contato uniforme com wafers e substratos r\u00edgidos.<\/strong><\/li>\n<li><strong>Excelente suspens\u00e3o em fluidos de moagem aquosos ou \u00e0 base de \u00f3leo.<\/strong><\/li>\n<li><strong>Remo\u00e7\u00e3o controlada de material sem riscos (Ra \u22640,05\u03bcm)<\/strong><\/li>\n<li><strong>c<\/strong><\/li>\n<\/ul>\n<p>O SND-MAG supera os p\u00f3s de diamante monocristalino convencionais, oferecendo maior efici\u00eancia de retifica\u00e7\u00e3o, ades\u00e3o superior a resinas ou ligantes vitrificados e aus\u00eancia de riscos profundos, tornando-o a escolha ideal para lapida\u00e7\u00e3o de wafers semicondutores, polimento de safira, acabamento de lentes \u00f3pticas e retifica\u00e7\u00e3o de cer\u00e2mica de alta precis\u00e3o.<\/p>\n<hr>\n<h3><strong>Vantagem T\u00e9cnica e Engenharia<\/strong><\/h3>\n<ul>\n<li>T\u00e9cnica de Aglomera\u00e7\u00e3o: A sinteriza\u00e7\u00e3o patenteada, combinada com a cura do aglutinante, forma aglomerados policristalinos, prevenindo a grafitiza\u00e7\u00e3o do diamante e mantendo a integridade estrutural sob retifica\u00e7\u00e3o de alta press\u00e3o (\u226450 N\/cm\u00b2).<\/li>\n<li>Controle de forma e uniformidade: mais de 90% de part\u00edculas esf\u00e9ricas (verificado por TEM), desvio de forma \u226410%, garantindo for\u00e7a de polimento est\u00e1vel, vibra\u00e7\u00e3o reduzida e defeitos superficiais minimizados.<\/li>\n<li>N\u00edveis de impurezas ultrabaixos: A tripla purifica\u00e7\u00e3o (lixivia\u00e7\u00e3o \u00e1cida, desgaseifica\u00e7\u00e3o a v\u00e1cuo e separa\u00e7\u00e3o magn\u00e9tica) garante a compatibilidade com materiais semicondutores de alta pureza, prevenindo a contamina\u00e7\u00e3o durante o polimento do wafer.<\/li>\n<\/ul>\n<hr>\n<h3><strong>Principais vantagensv<\/strong><\/h3>\n<ul>\n<li>Polimento de alta efici\u00eancia: A estrutura aglomerada autorregenerativa mant\u00e9m uma efici\u00eancia consistente de retifica\u00e7\u00e3o\/polimento por mais de 10 horas, prolongando a vida \u00fatil da ferramenta em 50% em compara\u00e7\u00e3o com os p\u00f3s de diamante convencionais.<\/li>\n<li>&lt;Acabamento de superf\u00edcie sem riscos: O formato esf\u00e9rico de alta qualidade e as arestas de microcorte proporcionam uma rugosidade superficial (Ra) \u2264 0,05 \u03bcm em wafers de safira, SiC e semicondutores, com taxas de risco &lt; 0 &gt; 0,3%.<\/li>\n<li>Adaptabilidade a m\u00faltiplos materiais: Adequado para wafers de Si, SiC, GaAs, GaN, InP, safira, cer\u00e2micas avan\u00e7adas e metais de precis\u00e3o, reduzindo a necessidade de troca de abrasivos em linhas de produ\u00e7\u00e3o com m\u00faltiplos materiais.<\/li>\n<li>Ades\u00e3o e liga\u00e7\u00e3o aprimoradas: As superf\u00edcies rugosas de micropart\u00edculas melhoram a reten\u00e7\u00e3o da liga\u00e7\u00e3o em boinas de polimento de resina ou vitrificadas, minimizando o desprendimento de part\u00edculas abrasivas e prolongando a vida \u00fatil da boina.<\/li>\n<\/ul>\n<hr>\n<h3><strong>Aplica\u00e7\u00f5es principais em diversos setores<\/strong><\/h3>\n<p><strong>Semicondutores e Eletr\u00f4nica:<\/strong><\/p>\n<ul>\n<li>Polimento e lapida\u00e7\u00e3o de wafers: Polimento de wafers de sil\u00edcio, SiC, GaAs, GaN e InP com Ra \u2264 0,05 \u03bcm, garantindo alto rendimento e superf\u00edcies sem defeitos.<\/li>\n<li>Corte das bordas do wafer: Remove microfissuras de wafers de 6 a 12 polegadas, melhorando a confiabilidade da embalagem do chip subsequente.<\/li>\n<\/ul>\n<p><strong>\u00d3ptica e Materiais R\u00edgidos:<\/strong><\/p>\n<ul>\n<li>Polimento de substrato de safira: proporciona superf\u00edcies sem riscos e transmit\u00e2ncia de luz \u226595% para LEDs, lentes de smartphones e componentes \u00f3pticos de alta qualidade.<\/li>\n<li>Acabamento em cer\u00e2mica e metal: Polimento de cer\u00e2micas de alumina, ligas de tit\u00e2nio e outros componentes de precis\u00e3o, resultando em superf\u00edcies espelhadas sem a necessidade de polimento posterior.<\/li>\n<\/ul>\n<hr>\n<h3><strong>Especifica\u00e7\u00f5es t\u00e9cnicas<\/strong><\/h3>\n<table>\n<thead>\n<tr>\n<th><\/th>\n<th><\/th>\n<th>Item t\u00e9cnico<br \/>\nEstado\/Valor<br \/>\nObserva\u00e7\u00f5es<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n<tbody>\n<tr>\n<td><\/td>\n<td><\/td>\n<td>C\u00f3digo do produto<br \/>\nAND-MAG<br \/>\nIdentificador oficial<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><\/td>\n<td><\/td>\n<td>Apar\u00eancia: P\u00f3 cinza<br \/>\nInspe\u00e7\u00e3o visual<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Forma<br \/>\nClasse &#8211; esf\u00e9rica<br \/>\nVerificado por TEM<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><\/td>\n<td><\/td>\n<td>Forma cristalina<br \/>\nPolicristalino<br \/>\nConfirmado por difra\u00e7\u00e3o de raios X<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><\/td>\n<td><\/td>\n<td>Densidade<br \/>\n3,1\u20133,4 g\/cm\u00b3<br \/>\nMedi\u00e7\u00e3o por picn\u00f4metro<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Composi\u00e7\u00e3o<\/td>\n<td>&gt;&lt;&lt;&lt;<\/td>\n<td>ICP-MS<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><\/td>\n<td>Cinzas de combust\u00e3o&lt; 0 &gt;0,1%<\/td>\n<td>&lt;<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\nFaixa de tamanho de part\u00edculas<br \/>\n1\u20135 \u03bcm, 5\u201310 \u03bcm, 10\u201320 \u03bcm<\/p>\n<td><\/td>\n<td><\/td>\n<td>Personaliz\u00e1vel conforme a aplica\u00e7\u00e3o<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><\/td>\n<td><\/td>\n<td>Suspensibilidade<br \/>\n\u226595% (24h)<br \/>\nMedi\u00e7\u00e3o de turbidez<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><\/td>\n<td><\/td>\n<td>Estabilidade t\u00e9rmica<br \/>\nAt\u00e9 850 \u00b0C<br \/>\nTGA<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td><\/td>\n<td><\/td>\n<td>Resist\u00eancia \u00e0 press\u00e3o de moagem<br \/>\n\u226450 N\/cm\u00b2<br \/>\nTeste de compress\u00e3o<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p>&nbsp;<\/p>\n<hr>\n<h3><strong>Perguntas frequentes <\/strong><\/h3>\n<p><strong>Q1: Por que o formato esf\u00e9rico da classe \u00e9 crucial para o SND-MAG?<\/strong><br \/>\nA: Part\u00edculas esf\u00e9ricas de alta qualidade garantem contato uniforme com os substratos, evitam arranh\u00f5es localizados de alta press\u00e3o e mant\u00eam um polimento consistente em wafers grandes (por exemplo, wafers de SiC ou Si de 12 polegadas).<\/p>\n<p><strong>Q2: O operador AND-MAY pode ser usado em wafers semicondutores de GaN?<\/strong><br \/>\nA: Sim. Impurezas ultrabaixas (B &lt; 0 &gt;0,005%, Fe &lt; 0 &gt;0,1%) previnem a contamina\u00e7\u00e3o, alcan\u00e7ando superf\u00edcies com Ra \u22640,05\u03bcm, atendendo aos padr\u00f5es de fabrica\u00e7\u00e3o de chips de alta frequ\u00eancia.&lt;&lt; <\/p>\n<p><strong>P3: Como funciona a \u201ccamada de moagem autorregenerativa\u201d?<\/strong><br \/>\nA: Os aglomerados exp\u00f5em gradualmente novas superf\u00edcies de diamante durante o uso, mantendo uma efici\u00eancia de retifica\u00e7\u00e3o constante por mais de 10 horas e reduzindo o tempo de inatividade para substitui\u00e7\u00e3o da ferramenta em 30%.<\/p>\n<p>P4: Qual \u00e9 o m\u00e9todo de armazenamento recomendado para o SND-MAG?<br \/>\nR: Armazene em sacos de alum\u00ednio selados a v\u00e1cuo e \u00e0 prova de umidade, a uma temperatura de 15\u201325 \u00b0C e umidade relativa de 60%. Evite poeira e gases corrosivos. Validade: 36 meses.&lt;  <\/p>\n<p><strong><a class=\"row-title\" href=\"https:\/\/diamondmicron.com\/product\/micron-diamond-powder-snd-mpl\/\">P\u00f3 de diamante sint\u00e9tico policristalino micronizado SND-MPL<\/a><\/strong><\/p>\n<p><strong><a class=\"row-title\" href=\"https:\/\/diamondmicron.com\/product\/micron-diamond-powder-snd-mdw\/\">P\u00f3 de diamante sint\u00e9tico micronizado profissional SND-MDW<\/a><\/strong><\/p>\n<p><strong><a class=\"row-title\" href=\"https:\/\/diamondmicron.com\/pt-br\/produto\/diamante-micronizado-snd-m10-para-aplicacoes-em-diamante-natural-gemas-vidro-ceramica-e-pasta-suspensao-de-diamante\/\">Diamante micronizado SND-M10 <\/a><\/strong><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>SND-MAG (C\u00f3digo do produto: SND-MAG) \u00e9 um p\u00f3 micronizado aglomerado de diamante de \u00faltima gera\u00e7\u00e3o, projetado para retifica\u00e7\u00e3o e polimento de alta precis\u00e3o sem riscos de semicondutores (Si, SiC, GaAs, GaN, InP), 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precis\u00e3o.<\/p>\n","protected":false},"featured_media":4478,"template":"","meta":{"om_disable_all_campaigns":false,"_uag_custom_page_level_css":"","_monsterinsights_skip_tracking":false,"_monsterinsights_sitenote_active":false,"_monsterinsights_sitenote_note":"","_monsterinsights_sitenote_category":0,"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"default","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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